内容摘要：三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的认证测试，将用于下一代AI加速器的关键内存栈。该产品采用12层堆叠设计，单颗容量达36GB，数据传输速率高达9.6Gbps，相比上一代HBM3

为全球AI芯片供应链提供更多选择。存通三星表示，过英工作此举将打破SK海力士在HBM市场的伟达垄断格局，HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，认证业内分析认为，加速三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的负载认证测试，目前三星已开始向英伟达批量供货，部署预计下半年搭载于H200及后续GPU中。存通该产品采用12层堆叠设计，过英工作显著降低延迟。伟达数据传输速率高达9.6Gbps，认证通过优化热管理工艺和先进的加速硅通孔技术，单颗容量达36GB，负载将用于下一代AI加速器的部署关键内存栈。相比上一代HBM3能效提升约20%。存通 来源：三星官方新闻